[发明专利]使用片上传感器和计算装置的集成电路片温度补偿方法和装置无效

专利信息
申请号: 200580014336.2 申请日: 2005-02-23
公开(公告)号: CN1950716A 公开(公告)日: 2007-04-18
发明(设计)人: A·奥斯;G·甘斯托 申请(专利权)人: 爱特梅尔股份有限公司
主分类号: G01R35/00 分类号: G01R35/00
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 陈炜
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种使用片上电路、传感器和校准算法的集成电路的温度补偿方法和装置。该芯片包括片上参考电路(12)、用于测量与参考电路有关的参数的片上传感器(26)、以及用于处理算法的片上计算装置(18)。还使用辅助的片外参考电路(16)。该算法执行以下步骤:(A)在第一测试位置于第一温度(高温)下为片上集成电路系统上的内部参考进行第一校准,(B)利用在步骤(A)中获得的校准数据在第二测试位置于第二温度(低温)下为片上集成系统上的内部参考源进行第二校准。
搜索关键词: 使用 传感器 计算 装置 集成电路 温度 补偿 方法
【主权项】:
1.一种包括一内部参考源的片上集成系统的校准方法,所述方法包括以下步骤:在一第一工作状态下为所述片上集成系统上的所述内部参考源进行一初始校准步骤以获得初始校准数据;以及在一第二工作状态下利用所述初始校准数据进行所述内部参考源的至少一后续校准步骤以获得额外的校准数据。
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