[实用新型]新型TSVG动态无功补偿发生电源

摘要

本实用新型公开一种新型TSVG动态无功补偿发生电源，突破了传统无功功率概念的约束，是无功补偿领域的一个新产品，其中ASVG部分无需电容和电感来产生无功，只需要通过整流和一逆变实现动态无功补偿。该产品有效地解决了原有TSC动态无功功率补偿器补偿不连续，容量存在步差问题，实现了动态连续调节无功功率，保证补偿后的功率因数全程为1；TSVG采用了优化特定消谐PWM技术以减小电压谐波畸变，其主要电路采用IGBT智能模块。本实用新型由TSC动态无功补偿器和ASVG无功发生器相互并连连接，利用测量系统对信号进行检测，来计算无功的投切容量，通过控制可控硅投切电容器进行粗调无功功率，并通过控制ASVG实现细调无功功率，装置采用全智能控制。

主权项

1.一种新型TSVG动态无功补偿发生电源，由TSC动态无功补偿器和ASVG无功发生器相互连接组成，其特征是：由控制器(6)，二极管(12b、12d、12i、12k)二极管(22b、22d、22i、22k)二极管(32b、32d、32i、32k)可控硅(11a、11b、11c、11d、11e、11f、11g、11h、11i、11j、11k、11l)可控硅(21a、21b、21c、21d、21e、21f、21g、21h、21i、21j、21k、21l)可控硅(31a、31b、31c、31d、31e、31f、31g、31h、31i、31j、31k、31l)电抗器(13a、13b、13c、13d、13e、13f、13g、13h、13i、13j、13k、13l)电抗器(23a、23b、23c、23d、23e、23f、23g、23h、23i、23j、23k、23l(23))电抗器(33a、33b、33c、33d、33e、33f、33g、33h、33i、33j、33k、33l)电容器(14a、14b、14c、14d、14e、14f、14g、14h、14i、14j、14k、14l)电容器(24a、24b、24c、24d、24e、24f、24g、24h、24i、24j、24k、24l)电容器(34a、34b、34c、34d、34e、34f、34g、34h、34i、34j、34k、34l)组成；其中电抗器(13a、13b、13c、13d、13e、13f、13g、13h、13i、13j、13k、13l)电抗器(23a、23b、23c、23d、23e、23f、23g、23h、23i、23j、23k、23l)电抗器(33a、33b、33c、33d、33e、33f、33g、33h、33i、33j、33k、33l)的值可以从0到应用值，其中二极管(12b、12d)二极管(22b、22d)二极管(32b、32d)可控硅(11a、11b、11c、11d、11e)可控硅(21a、21b、21c、21d、21e)可控硅(31a、31b、31c、31d、31e)电抗器(13a、13b、13c、13d、13e)电抗器(23a、23b、23c、23d、23e)电抗器(33a、33b、33c、33d、33e)电容器(14a、14b、14c、14d、14e)电容器(24a、24b、24c、24d、24e)电容器(34a、34b、34c、34d、34e)构成星形连接；其中二极管(12i、12k)二极管(22i、22k)二极管(32i、32k)可控硅(11f、11g、11h、11i、11j、11k、11l)可控硅(21f、21g、21h、21i、21j、21k、21l)可控硅(31f、31g、31h、31i、31j、31k、31l)电抗器(13f、13g、13h、13i、13j、13k、13l)电抗器(23f、23g、23h、23i、23j、23k、23l)电抗器(33f、33g、33h、33i、33j、33k、33l)电容器(14f、14g、14h、14i、14j、14k、14l)电容器(24f、24g、24h、24i、24j、24k、24l)电容器(34f、34g、34h、34i、34j、34k、34l)构成三角形连接；ASVG通过变压器或电抗器与电网连接，其基本构成单元为逆变器模块；绝缘栅双极晶体管IGBT(g1、g2、g3、g4、g5、g6)分别和二极管(1a、2a、3a、4a、5a、6a)构成三相桥。