[发明专利]制造磁头的方法无效
| 申请号： | 200510120337.7 | 申请日： | 2005-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN1805014A | 公开（公告）日： | 2006-07-19 |
| 发明（设计）人： | 森尻诚;田中温子;田边淳一 | 申请（专利权）人： | 日立环球储存科技荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39;G03F7/20;H01L21/30 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 杨林森;谷惠敏 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 在形成窄的构图时，难以形成具有悬垂形状的剥离抗蚀构图。因此，导致GMR层的末端处的角度被减少到45°或以下的现象。有必要提供将GMR膜的末端形成为45°或以上的陡峭角度并确保剥离的剥离抗蚀构图。当有必要形成超过成像层的分辨率的限制的窄的构图时，提供一种用于制造薄膜磁头的方法：在应用具有窄的构图的剥离抗蚀构图的同时，通过剥离方法制备GMR装置。制造薄膜磁头的方法如下：使用包括从下层的PMGI层、有机膜层和成像层的三层有机膜的抗蚀构图作为剥离抗蚀构图，通过使用成像层作为掩模来蚀刻有机膜层和PMGI层，然后通过使用剥离抗蚀构图作为掩模来蚀刻GMR层，其中，在所述剥离抗蚀构图中，有机膜层和成像层被形成为通过在显影液中蚀刻PMGI层制备的悬垂形状，然后通过使用剥离方法在GMR层的两个末端上形成磁畴控制膜和电极膜。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 磁头 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造磁头的方法，包括：在屏蔽膜之上经由第一绝缘膜形成磁阻膜的第一步骤；在所述磁阻膜之上形成第一、第二和第三抗蚀膜的第二步骤；对所述第一、第二和第三抗蚀膜进行构图的第三步骤；通过使用所述构图的第一、第二和第三抗蚀膜蚀刻所述磁阻膜的第四步骤；在所述第四步骤之后形成磁畴控制膜和电极膜的第五步骤；在所述第五步骤之后去除所述第一、第二和第三抗蚀膜的第六步骤；以及在所述第六步骤之后沉积第二绝缘膜的步骤。
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