[发明专利]磁控及非平衡式磁控物理溅镀多层覆合超硬薄膜之方法无效
申请号: | 200510098824.8 | 申请日: | 2005-09-01 |
公开(公告)号: | CN1730718A | 公开(公告)日: | 2006-02-08 |
发明(设计)人: | 张子望 | 申请(专利权)人: | 叡邦微波科技股份有限公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/02;C23F4/00 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人: | 曾旻辉;胡杰 |
地址: | 台湾省台北市内*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种使用磁控及非平衡式磁控物理溅镀多层覆合超硬薄膜之方法,其步骤如下:先载入被镀物,将被镀物处于真空环境,以电热器控制进行预先加热,并利用高电压电源供应器(High Voltage Power Supply,HVPS)控制电压与温度,分阶段进行离子轰击,去除被镀物表面氧化层,使用磁控及非平衡式磁控溅射,在被镀物上进行镀膜进行冷却,镀膜工作完成;如上述步骤,通过控制温度、电压、表面清洁,达成表面粗糙度良好而且原子堆栈致密的超硬膜层。 | ||
搜索关键词: | 平衡 式磁控 物理 多层 覆合超硬 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
1.一种磁控及非平衡式磁控物理溅镀多层覆合超硬薄膜之方法,其特征在于,其包括以下步骤:(1)加载被镀物;(2)将被镀物处于真空环境;(3)以电热器控制进行预先加热;(4)进行离子轰击:利用高电压电源供应器(HVPS)控制电压与温度,分阶段来进行离子轰击,去除被镀物表面氧化层;(5)使用磁控及非平衡式磁控溅射,在被镀物上进行镀膜;(6)进行冷却;(7)镀膜工作完成;获得表面粗糙度良好而且原子堆栈致密的超硬膜。
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