[发明专利]无铅压电陶瓷K0.5Bi0.5TiO3纳米线及其烧结体的制备方法无效
| 申请号： | 200510098335.2 | 申请日： | 2005-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN1762898A | 公开（公告）日： | 2006-04-26 |
| 发明（设计）人： | 侯育冬;侯磊;朱满康;汪浩;宋雪梅;严辉 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C04B35/462 | 分类号： | C04B35/462;C04B35/622;H01L41/187 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张慧 |
| 地址： | 100022*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属压电陶瓷领域。传统合成K0.5Bi0.5TiO3 (KBT)粉体是固相煅烧法，高温热处理导致粉体较粗(微米级)，易团聚，活性差，难获得高致密度陶瓷。本发明步骤：按摩尔比1∶1∶2称量的硝酸铋、硝酸钾和钛酸四丁酯，分别依次溶解于乙酸、去离子水及乙醇中，然后将三种溶液混合并搅拌均匀，制成溶胶；烘干，获得凝胶粉；凝胶粉加入到4～10M氢氧化钾的水溶液中，搅拌均匀后，装入密闭的反应釜中140℃～200℃下晶化24～48h；晶化后抽滤，用去离子水洗涤，干燥，即得到KBT纳米线。对KBT纳米线经加压成型后于氧气氛中，1000℃～1100℃烧结成陶瓷体。本发明工艺简单、能耗低、得到不含有铅、且具有纯钙钛矿相结构、均一粒径的KBT纳米线，提供高致密度，电学性能优良的压电陶瓷。 | ||
| 搜索关键词： | 压电 陶瓷 sub 0.5 bi tio 纳米 及其 烧结 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种无铅压电陶瓷K0.5Bi0.5TiO3纳米线的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)按摩尔比1∶1∶2称量的硝酸铋、硝酸钾和钛酸四丁酯，分别依次溶解于乙酸中、去离子水中及乙醇中，然后将三种溶液混合并搅拌均匀，制成溶胶；(2)将上述溶胶烘干，获得凝胶粉；(3)将上述凝胶粉加入到4～10M氢氧化钾的水溶液中，搅拌均匀后，装入密闭的反应釜中；(4)在上述密闭的反应釜中140～200℃下晶化24～48h；(5)经上述晶化后抽滤，用去离子水洗涤，干燥，即得所需产物。
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