[发明专利]磁性薄膜材料面内单轴各向异性测试方法无效
| 申请号： | 200510096459.7 | 申请日： | 2005-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN1790005A | 公开（公告）日： | 2006-06-21 |
| 发明（设计）人： | 薛德胜;范小龙 | 申请（专利权）人： | 兰州大学 |
| 主分类号： | G01N27/76 | 分类号： | G01N27/76 |
| 代理公司： | 兰州振华专利代理有限责任公司 | 代理人： | 张晋 |
| 地址： | 730000甘肃省兰州市天水南路*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明公开一种磁性材料的测试技术。本发明的方法是：外加直流磁场中放置被测样品薄膜，使被测样品薄膜平面与外磁场方向平行，并且使被测样品薄膜可绕与其平面相垂直的轴转动，测试时，首先使被测薄膜样品磁饱和，然后再使外磁场大小介于饱和场和矫顽力场之间，并保持这一外磁场大小不变，然后每将被测样品薄膜转动一个角度，测量出在该角度θ0状态下被测薄膜自发磁化强度MS在外磁场方向的相应的投影值M，由此得到被测样品薄膜在不同θ | ||
| 搜索关键词： | 磁性 薄膜 材料 面内单轴 各向异性 测试 方法 | ||
【主权项】：
1、磁性薄膜材料面内单轴各向异性测试方法，其特征是在一外加直流磁场中放置被测样品薄膜，使被测样品薄膜平面与外磁场方向平行，并且使被测样品薄膜可绕与其平面相垂直的轴转动，在进行测试时，首先使外磁场强度大于被测材料的磁饱和强度，使被测薄膜先磁饱和，再将外磁场的强度减小，使外磁场大小介于饱和场和矫顽力场之间，并保持这一外磁场不变，然后每将被测样品薄膜转动一个角度，测量出在该角度θ0状态下被测薄膜自发磁化强度MS 在外磁场方向的相应的投影值M，由此得到被测样品薄膜在不同转角θ0与对应的M值的函数。
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