[发明专利]在硅光电池表面刻槽的方法及装置有效

专利信息
申请号: 200510090092.8 申请日: 2005-08-12
公开(公告)号: CN1911588A 公开(公告)日: 2007-02-14
发明(设计)人: 樊仲维;裴博;边强;赵剑波;石朝晖;崔建丰;张晶;牛岗;王裴峰 申请(专利权)人: 北京国科世纪激光技术有限公司
主分类号: B23K26/36 分类号: B23K26/36;B23K26/067;B23K26/06
代理公司: 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 代理人: 高存秀
地址: 100080*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种在硅光电池的表面进行刻槽的加工方法及装置。该方法采用两束激光分别与加工平面的法线方向对称倾斜角度+θ和-θ,并且使两束激光所在的平面垂直于槽线方向,用聚焦透镜将两束激光聚焦在垂直于槽线方向上,焦点位于硅片表面下方,将加工平面沿着槽线方向平移,两束激光加工形成下宽上窄的线槽。该装置包括激光器、分光器件、全反射镜、聚焦透镜、两维精密工作台。本发明具有能够直接完成硅光电池的刻槽加工任务、成本低、效率高、加工质量容易保证等优点。
搜索关键词: 光电池 表面 方法 装置
【主权项】:
1、在硅光电池表面刻槽的方法,包括以下步骤:1)设置一激光器,所述的激光器输出激光的光路上设置一分光器件;2)用所述的分光器件将激光束等能量地分成两束激光;3)将两束激光分别与加工平面的法线方向对称倾斜角度+θ和-θ;并且使两束激光所在的平面垂直于槽线方向;4)将两束激光聚焦在垂直于槽线方向上,焦点位于硅片表面下方;5)将加工平面沿着槽线方向平移,两束激光加工形成下宽上窄的线槽。
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