[发明专利]发射器的形成方法和场致发射装置的制造方法无效
| 申请号： | 200510087978.7 | 申请日： | 2005-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN1734698A | 公开（公告）日： | 2006-02-15 |
| 发明（设计）人： | 许廷娜;朴相铉;郑太远 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种形成发射器的方法以及一种利用该方法制造场致发射装置(FED)的方法。形成发射器的方法包括：在电极上形成由聚合物组成的体积可变结构，该聚合物响应于外部刺激可逆地膨胀和收缩；将电子发射材料注入体积可变结构中；排列电子发射材料；以及除去聚合物以形成发射器。 | ||
| 搜索关键词： | 发射器 形成 方法 发射 装置 制造 | ||
【主权项】：
1.一种形成发射器的方法，包括：在电极上形成由聚合物组成的体积可变结构，所述聚合物响应于外部刺激可逆地膨胀和收缩；将电子发射材料注入所述体积可变结构中；排列所述电子发射材料；以及除去所述聚合物以形成所述发射器。
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