[发明专利]正方晶格二维光子晶体有效
| 申请号： | 200510086975.1 | 申请日： | 2005-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN1971312A | 公开（公告）日： | 2007-05-30 |
| 发明（设计）人： | 龚春娟;胡雄伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G02B1/02 | 分类号： | G02B1/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 段成云 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及二维光子晶体技术领域，特别是在低频范围内拥有很大的绝对禁带相对值的正方晶格二维光子晶体。与通常人工设计的光子晶体原胞有所不同，原胞被分割为10×10个包含高折射率和低折射率介电材料的正方形象素结构，高折射率介电材料和低折射率介电材料以一定的规律分布在原胞的象素中，具体为：其中1代表高折射率介电材料，0代表低折射率介电材料。本发明的原胞结构满足反演对称性。当晶格常数a取1μm时，本发明在硅/空气的材料背景下得到的低频区域绝对禁带的相对值为13.25％。 | ||
| 搜索关键词： | 正方 晶格 二维 光子 晶体 | ||
【主权项】：
1、一种正方晶格二维光子晶体，其特征在于，所述二维光子晶体的原胞被分割为10×10个包含高折射率介电材料和低折射率介电材料的正方形象素结构，其满足反演对称，其中高折射率介电材料和低折射率介电材料按照一定的规律排列，具体为：![]()
其中1代表高折射率介电材料，0代表低折射率介电材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510086975.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
