[发明专利]可调谐电吸收调制分布布拉格反射激光器的制作方法

摘要

本发明涉及半导体激光器技术领域，特别是该器件内集成了电吸收调制器和分布布拉格反射半导体激光器的制作方法。其方法是结合了选区外延生长(SAG)和量子阱混杂技术(QWI)的优点，通过选区外延生长的方法形成器件的增益区和调制器区，用量子阱混杂技术在调制器区进一步实现带隙波长蓝移形成DBR区。通过离子注入实现器件各个区域的电隔离。

主权项

1、一种波长可调谐电吸收分布布拉格反射激光器的制作方法，包括以下步骤：步骤1：利用MOCVD方法在制作了二氧化硅掩膜(1)的n型InP衬底上依次外延n-InP缓冲层，InGaAsP下限制层(2)，InGaAsP/InP多量子阱(3)，InGaAsP上限制层(4)，InP注入缓冲层；步骤2：淀积介质膜(5)；步骤3：掩膜光刻制作注入保护图形，在增益区和电吸收区留下二氧化硅掩膜(5)，其余区域腐蚀掉二氧化硅掩膜；步骤4：在外延片表面进行P离子注入，然后腐蚀掉表面剩下的二氧化硅掩膜(5)；步骤5：在表面重新淀积二氧化硅掩膜；步骤6：将外延片置于快速退火炉中，在氮气保护环境下，在一定温度下经过一定时间的快速热退火过程；步骤7：腐蚀掉二氧化硅掩膜，InP缓冲层；步骤8：采用全息曝光技术和干湿法刻蚀技术在波导区制作两段光栅6，该光栅可以是普通光栅，也可以是取样光栅；步骤9：利用MOCVD方法外延生长p-InP7，p-InGaAsP刻蚀阻止层(8)，上P-InP盖层(9)，p-InGaAs接触层(10)；步骤10：利用湿法腐蚀刻蚀到刻蚀阻止层，制作脊型结构，形成波导；步骤11：利用光刻胶掩膜光刻，腐蚀掉p-InGaAs接触层，形成隔离沟(13)，进行He离子注入使隔离沟(13)成为高阻区；大面积生长二氧化硅介质膜(11)；步骤12：在脊形条上开电极窗口，溅射P面上接触电极(12)，减薄后，背面蒸发N面下接触电极(14)；步骤13：解理出单个波长可调谐分布布拉格反射激光器管芯，分别引出电吸收调制器电极引线(15)，DBR电极引线(16)，相区电极引线(17)和增益区电极引线(18)。