[发明专利]一种介孔结构Co3O4纳米晶的制备方法无效
| 申请号： | 200510086208.0 | 申请日： | 2005-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN1736882A | 公开（公告）日： | 2006-02-22 |
| 发明（设计）人： | 杨文胜;王蓓;段雪 | 申请（专利权）人： | 北京化工大学 |
| 主分类号： | C01G51/04 | 分类号： | C01G51/04 |
| 代理公司： | 北京科大华谊专利代理事务所 | 代理人： | 刘月娥 |
| 地址： | 100029北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有介孔结构的尖晶石型Co3O4纳米晶的制备方法，属于过渡金属氧化物纳米材料及过渡金属氧化物介孔材料制备技术领域。本发明以具有良好晶型的碱式碳酸钴作为前驱体，利用前驱体中OH－和CO32－在层板和层间均匀分布的结构特点，通过控制焙烧过程，使H2O和CO2小分子可控释放，形成具有介孔结构且孔径均一、比表面积高的Co3O4纳米晶。与其它合成方法相比，本发明方法工艺简单、操作方便，易于实现规模化工业生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结构 co sub 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种介孔结构Co3O4纳米晶的制备方法，首先制备出具有良好晶型的碱式碳酸钴前驱体，利用前驱体中OH-和CO32-在层板和层间均匀分布的结构特点，通过控制焙烧过程，使H2O和CO2小分子可控释放，形成具有介孔结构且孔径均一的Co3O4；具体工艺步骤为：a、碱式碳酸钴晶体的制备：将可溶性二价钴盐溶解于去离子水中配成浓度为0.5～1.5mol/L的钴盐溶液，另取等体积的去离子水溶解NH4HCO3，NH4HCO3用量为n(NH4HCO3)∶n[二价钴盐]＝2.1～2.2；将上述两种溶液同时等速加入到全返混液膜反应器中快速成核，并返混1～3分钟，控制转子的转速为2000～5000转数/分钟，反应温度为15～35℃；反应物在50～90℃的水浴中晶化2～24小时，然后用去离子水洗涤，至滤液pH值6～8；再经空气中50～90℃干燥6～12小时，得到具有良好晶型的碱式碳酸钴前体；b、介孔结构材料的制备：将步骤a干燥后的物质以5～10℃/分钟的速率升温至250～350℃，恒温3～6小时，然后随炉冷却至室温，得到介孔结构Co3O4纳米晶粉体。
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