[发明专利]有构图薄层的微阵列基底，含该基底的微阵列及其制备法无效
| 申请号： | 200510077974.0 | 申请日： | 2005-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN1880976A | 公开（公告）日： | 2006-12-20 |
| 发明（设计）人： | 沈储暎;南宫智娜;黄奎渊 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G02B1/10 | 分类号： | G02B1/10;G01N33/50 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 巫肖南;封新琴 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了在基底上具有构图薄层的微阵列基底。在该微阵列基底中，基底的反射率不同于薄层材料的反射率，并且所述构图薄层包含具有一定厚度的点样区和具有一定厚度的背景区，从基底反射的照射激发光的第一反射光和从薄层反射的照射激发光的第二反射光在所述厚度的点样区发生相长干涉，从基底反射的照射激发光的第一反射光和从薄层反射的照射激发光的第二反射光在所述厚度的背景区发生相消干涉。 | ||
| 搜索关键词： | 构图 薄层 阵列 基底 及其 制备 | ||
【主权项】：
1.一种微阵列基底，在基底上具有构图薄层，其中，所述基底具有不同于薄层材料的反射率，并且所述构图薄层包含具有一定厚度的点样区和具有一定厚度的背景区，从基底反射的照射激发光的第一反射光和从薄层反射的照射激发光的第二反射光在所述厚度的点样区发生相长干涉，从基底反射的照射激发光的第一反射光和从薄层反射的照射激发光的第二反射光在所述厚度的背景区发生相消干涉。
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