[发明专利]碳纳米管、电子发射源、电子发射设置及其制造方法无效
| 申请号： | 200510076269.9 | 申请日： | 2005-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN1702802A | 公开（公告）日： | 2005-11-30 |
| 发明（设计）人： | 南仲祐;朴钟焕;柳美爱 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01J1/30 | 分类号： | H01J1/30;C01B31/00;C01B9/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;梁永 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种具有拉曼光谱的碳纳米管(CNT)，其拉曼光谱具有G带和D带，其中包括G带峰值积分IG和D带峰值积分ID的比率是5或更大。此外，还有一种包括该CNT的电子发射源，一种包括该电子发射源的电子发射装置，以及一种制造该电子发射装置的方法。包括CNT的电子发射源具有优选的电流密度，因此利用该电子发射源的电子发射装置的可靠性高。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 电子 发射 设置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种具有拉曼光谱的碳纳米管，其拉曼光谱具有G带和D带，其中G带峰值积分(IG)和D带峰值积分(ID)的比率至少是5。
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