[发明专利]电荷泵电路有效
| 申请号： | 200510076174.7 | 申请日： | 2005-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN1794356A | 公开（公告）日： | 2006-06-28 |
| 发明（设计）人： | 陈冠宇;王懿缔 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 王志森;黄小临 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种电荷泵电路，包括一电荷泵级，其包含耦合至预充电金属氧化物半导体场效应晶体管的子电荷泵电路，其用以降压上述预充电金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极，以增加预充电金属氧化物半导体场效应晶体管的预充电效率。而预充电金属氧化物半导体场效应晶体管的预充电效率越高，则通道晶体管的栅极电压越低。所以，充电分配效率越好，体效应所造成的影响便可以消除。后续的电荷泵级亦与上述电荷泵级相同。此外，本发明实施例仅实施于P型金属氧化物半导体场效应上，因此，只需单一阱以及小布局即可。如此便可获得本发明的高效率负电荷泵电路。 | ||
| 搜索关键词： | 电荷 电路 | ||
【主权项】：
1.一种电荷泵电路，包括：一第一电荷泵级，包含一第一子电荷泵电路，耦合至一第一预充电金属氧化物半导体场效应晶体管，其中该第一子电荷泵电路用以降压该第一预充电金属氧化物半导体场效应晶体管的一栅极，藉以增加该第一预充电金属氧化物半导体场效应晶体管的预充电效率；以及一第二电荷泵级，耦合至该第一电荷泵级，该第二电荷泵级包含一第二子电荷泵电路，耦合至一第二预充电金属氧化物半导体场效应晶体管，其中该第二子电荷泵电路用以降压该第二预充电金属氧化物半导体场效应晶体管的一栅极，藉以增加该第二预充电金属氧化物半导体场效应晶体管的预充电效率。
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