[发明专利]制造碳纳米管场致发射装置的方法无效
| 申请号： | 200510067473.4 | 申请日： | 2005-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN1694208A | 公开（公告）日： | 2005-11-09 |
| 发明（设计）人： | 郑太远;许廷娜;李晶姬 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种碳纳米管发射器以及利用该碳纳米管发射器制造碳纳米管场致发射装置的方法。将粉末碳纳米管吸附到第一基板上。将金属淀积在碳纳米管上。将所得结构压合到阴极的表面。将第一基板从第二基板隔开，以拉紧碳纳米管，使得碳纳米管垂直于第一基板。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 纳米 管场致 发射 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造碳纳米管发射器的方法，其包括：将粉末碳纳米管吸附到第一基板上；在所述碳纳米管上淀积金属以在碳纳米管堆叠上形成第一金属层；在第二基板上形成第二金属层；将所述第一基板上的第一金属层压合到所述第二基板的第二金属层上；将所述第一基板从所述第二基板隔开，以拉紧通过所述第一和第二金属层粘结到第二基板的碳纳米管；以及以及进一步将所述第一基板从所述第二基板间隔开，以从第一基板分离所述碳纳米管。
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