[发明专利]一种采用激光对SU－8胶曝光光刻的方法及其装置无效
| 申请号： | 200510055286.4 | 申请日： | 2005-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN1664705A | 公开（公告）日： | 2005-09-07 |
| 发明（设计）人： | 刘世炳;路亮;刘院省;陈继民;陈涛 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张慧 |
| 地址： | 100022*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于激光微细加工领域。一种采用激光对SU－8胶曝光光刻的方法，其特征在于：采用波长为355nm的三倍频Nd:YAG激光器(1)作为对SU－8光敏胶进行曝光光刻的光源，激光经均束后通过图案透光的掩模板(4)，再经聚焦物镜(5)投影到SU－8光敏胶上进行曝光，生成SU－8胶掩模图案结构。装置，其特征在于：尾部是以三倍频Nd:YAG激光器(1)构成的发光源，其后是光刻匀束－投影系统，该系统包括沿激光束前进方向上依次置有透镜(2)、波导管(3)、掩模板旋转台(4)、聚焦物镜(5)和光刻工作台(6)。本发明由于激光为单色光，与高压汞灯相比，可以避免其它波长的杂散光对SU－8光刻胶的影响，也可以制作更小线宽的SU－8胶图形；在造价和运行费用方面远小于同步辐射X射线。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 激光 su 曝光 光刻 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
1.一种采用激光对SU-8胶曝光光刻的方法，其特征在于：采用波长为355nm的三倍频Nd:YAG激光器(1)作为对SU-8光敏胶进行曝光光刻的光源，激光经匀束后通过图案透光的掩模板(4)，再经聚焦物镜(5)投影到SU-8光敏胶上进行曝光，生成SU-8胶掩模图案结构。
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