[发明专利]用于测试隧道磁电阻效应元件的方法和设备无效
| 申请号： | 200510054118.3 | 申请日： | 2005-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN1677502A | 公开（公告）日： | 2005-10-05 |
| 发明（设计）人： | 猿木俊司;稻毛健治;蜂须贺望;清野浩 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/455 | 分类号： | G11B5/455;G11B5/39 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种用来测试TMR元件的方法，包括初始测量TMR元件的电阻值以提供所测量的电阻值作为第一电阻值的步骤；在连续使电流通过TMR元件预定的时间后，测量TMR元件的电阻值以提供所测量的电阻值作为第二电阻值的步骤；以及根据TMR元件电阻变化的程度来评价TMR元件的步骤。电阻变化的程度基于第一电阻值和第二电阻值来确定。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 测试 隧道 磁电 效应 元件 方法 设备 | ||
【主权项】：
1、一种用来测试隧道磁电阻效应元件的方法，其包含下列步骤：初始测量所述隧道磁电阻效应元件的电阻值，以提供所测量的电阻值作为第一电阻值；在使电流连续通过所述隧道磁电阻效应元件预定的时间后，测量所述隧道磁电阻效应元件的电阻值，以提供所测量的电阻值作为第二电阻值；以及根据所述隧道磁电阻效应元件电阻变化的程度，评价所述隧道磁电阻效应元件，所述电阻变化的程度基于所述第一电阻值和所述第二电阻值来确定。
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