[发明专利]聚吡咯气敏传感器无效
| 申请号: | 200510049518.5 | 申请日: | 2005-03-31 |
| 公开(公告)号: | CN1673730A | 公开(公告)日: | 2005-09-28 |
| 发明(设计)人: | 陈裕泉;陈大竞;吴维明 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
| 主分类号: | G01N27/407 | 分类号: | G01N27/407;G01N27/28 |
| 代理公司: | 杭州之江专利事务所 | 代理人: | 连寿金 |
| 地址: | 310013浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | 一种聚吡咯气敏传感器,其特征在于:将以化学气相沉积有聚吡咯膜的丝网印刷电极为工作电极,甘汞电极为参考电极,铂盘电极为对电极,放入已用氮气除氧的掺杂溶液中,该掺杂溶液中含0.1M掺杂离子,如ClO4-离子、对甲基苯璜酸离子,在设定电位下-0.5V下进行电化学去掺杂100秒,取出用去离子水冲洗干净;然后在0.6V电位下进行电化学掺杂100秒,得到掺杂的聚吡咯气敏。同现有技术比较,本发明的优点是:本聚吡咯气敏传感器可以在室温下工作,且其工作性能比未经去掺杂-掺杂的同类传感器优越得多。 | ||
| 搜索关键词: | 吡咯 传感器 | ||
【主权项】:
1.一种聚吡咯气敏传感器,包括去掺杂-掺杂前的聚吡咯气敏传感器,其特征在于:将以化学气相沉积有聚吡咯膜的丝网印刷电极为工作电极,甘汞电极为参考电极,铂盘电极为对电极,放入已用氮气除氧的掺杂溶液中,该掺杂溶液中含0.1M掺杂离子,如ClO4-离子、对甲基苯璜酸离子,在设定电位下-0.5V下进行电化学去掺杂100秒,取出用去离子水冲洗干净;然后在0.6V电位下进行电化学掺杂100秒,得到掺杂的聚吡咯气敏,将掺杂好的气敏电极放入烘箱中,40℃烘干24小时备用。
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