[发明专利]黄铜件真空离子镀替代电镀方法无效
申请号: | 200510045678.2 | 申请日: | 2005-01-15 |
公开(公告)号: | CN1644752A | 公开(公告)日: | 2005-07-27 |
发明(设计)人: | 陈宝清;董闯;黄龙 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/16;C23C14/02 |
代理公司: | 大连星海专利事务所 | 代理人: | 修德金 |
地址: | 116024辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 物理气相沉积领域中的黄铜件真空离子镀替代电镀方法,包括黄铜件、抛光、清洗、烘烤、炉体真空室、脉冲负偏压、靶材,特征:在黄铜件[3]与真空室[9]之间,加有脉冲负偏压,其占空比为10-30%,电压为100-2000V,频率为40KHz;替代电镀镍的离子镀中间层,是在纯金属钛及其合金或锆及其合金上,还镀有氮化钛或氮化锆,并在离子镀的中间层与黄铜件之间有1-2 μm的过渡层;工艺:抛光后经超声清洗、装炉抽真空,烘烤、溅射清洗、离子镀中间层,之后,或离子镀制备成品,或经离子镀TiN(或ZrN)后制备成品。优点:①膜层中没有Ni元素,无害;②没有三废无须治理;③镀层附着性好,致密性好,耐蚀性强;④色泽好光亮不起朦,装饰性好。 | ||
搜索关键词: | 黄铜 真空 离子镀 替代 电镀 方法 | ||
【主权项】:
1、黄铜件真空离子镀替代电镀方法,包括黄铜工件、抛光、清洗、烘烤、在炉体的真空室[9]、设有脉冲负偏压非平衡磁控溅射离子镀装置[1]、脉冲负偏压磁滤阱电弧离子镀装置[2]、脉冲负偏压中频交流磁控反应溅射离子镀装置[6]、加热装置[4]、工件台上的黄铜工件[3]、脉冲负偏压电源[5]和磁控靶材[8]和双靶[7],抽真空、氮气、氩气,其特征在于:a)在黄铜件[3]与真空室[9]之间,加有脉冲负偏压,其占空比为10-30%,电压为100-2000V,频率为40KHZ;b)替代电镀镍的离子镀中间层,是在纯金属钛及其合金或锆及其合金上,还镀有氮化钛或氮化锆,并在离子镀的中间层与黄铜件之间有1-2μm的过渡层;c)其方法的工艺步骤是:第一步,按常规技术,将黄铜件进行抛光、超声波清洗、装炉;第二步,将炉体真空室[9]抽真空、烘烤、溅射清洗其真空度为5×10-3Pa,烘烤温度小于80℃,时间为10min,烘烤后,通入氩气,其真空度为1-5Pa,向黄铜件加上脉冲负偏压,占空比为10-30%,电压由100V逐渐加到2000V,时间为15min;第三步,在黄铜工件上制备出厚度为1.3-2.0μm的离子镀中间层首先,启动脉冲负偏压非平衡磁控溅射离子镀装置[1],磁控靶材[8]材料为钛或锆或铬,制备纯金属钛及其合金或锆及其锆合金,工作电压为350-400V,工作电流为5-6A,非平衡磁场电流为20A,真空度为(5-3)×10-1Pa,时间为4-5min,同时,工件要施加脉冲负偏压电源[5],占空地比为10-30%,电压由100V逐渐加到1500V,关闭脉冲负偏压非平衡磁控溅射离子镀装置[1];其次,开动脉冲负偏压磁滤阱电弧离子渡装置[2]弧源靶材为钛或锆,制备氮化钛或氮化锆,通入氮气,其真空度应保持在(5-3)×10-1Pa,工作电压24V,工作电流85-100A,黄铜件施加脉冲负偏压电源[5],其占空比为10-30%,电压为100-200V,时间为20-50min,关闭脉冲负偏压磁滤阱电弧离子镀装置[2],或者开动脉冲负偏压中频交流磁控反应溅射离子镀装置[6],通入氮气,真空度保持为(5-3)×10-1Pa、双靶[7]材料为钛或锆工作,其工作电压为400-600V,双靶的工作电流各为15A,频率为40KHZ,工件施加脉冲负偏压电源[5],其占空比为10-30%,电压为100-200V,时间为20-50min,关闭脉冲负偏压中频交流磁控反应溅射离子镀装置[6];第四步,离子镀铬开动脉冲负偏压磁滤阱电弧离子镀装置[2]弧源靶材为铬,或开动脉冲负偏压非平衡磁控溅射离子镀装置[1],磁控靶材[8]材料为铬,停止送氮,通入氩气,真空度应保持(5-2.5)×10-1Pa,工作电压为24V,工作电流为85A,时间为10min;第五步,停机,炉温<30℃取出工件。外观检查装饰性及测量膜厚和耐蚀性装饰性检查目测、光亮、不起朦;用扫描电镜测膜厚1.5-2.3μm;耐蚀性用测量阳极腐蚀电位介质为3.5%NaCl水溶液或盐雾腐蚀介质5%NaCl水溶液,72小时合格。
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