[发明专利]适用于低电源电压的高效低功耗全PMOS电荷泵电路无效

专利信息
申请号: 200510029873.6 申请日: 2005-09-22
公开(公告)号: CN1773822A 公开(公告)日: 2006-05-17
发明(设计)人: 闫娜;闵昊 申请(专利权)人: 复旦大学
主分类号: H02M3/07 分类号: H02M3/07
代理公司: 上海正旦专利代理有限公司 代理人: 陆飞;盛志范
地址: 20043*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明属于模拟集成电路设计技术领域,具体为一种适用于低电源电压的高效低功耗电荷泵电路。它由低压PMOS晶体管组成,每一级电路结构相同,两个附加的PMOS晶体管用于控制本级所有晶体管的衬底电压,第三个附加的PMOS晶体管用于提升本级传输晶体管的栅源电压差。本电路输出电压随电荷泵级数的增加而线性增加,不受晶体管衬偏电压的影响。本发明能够大大提高电荷泵的输出电压,提高电荷泵的效率。
搜索关键词: 适用于 电源 电压 高效 功耗 pmos 电荷 电路
【主权项】:
1、一种高效低电荷泵电路,其特征在于由传输晶体管Mi1、栅压自举晶体管Mi2、衬底电压切换晶体管Mi3和Mi4、级耦合主电容Cp以及栅电压自举电容Cib构成,i指电荷泵的第i级,i为2-20;所有晶体管均为低压PMOS晶体管;除输出级外,其他各级结构均相同;其中传输晶体管Mi1的源级和漏级逐一连接起来,并最终连接到电源电压Vdd和输出电压Vout两端。
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