[发明专利]磷化铟基量子级联激光器原子层尺度外延材料质量控制方法有效
| 申请号： | 200510029274.4 | 申请日： | 2005-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN1731637A | 公开（公告）日： | 2006-02-08 |
| 发明（设计）人： | 李爱珍;林春;李华;李存才;胡建;顾溢;张永刚;徐刚毅 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30;H01S5/323;H01S5/343;H01S5/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及用气态源分子束外延技术生长含砷含磷量子级联激光器结构原子层尺度外延材料质量控制方法。包括：(1)外延层原子层界面砷/磷原子混凝控制方法；(2)外延层的组份均匀性的控制；(3)外延层厚度的控制以及(4)外延层施主掺杂的控制方法。上述四方面质量控制已成功地用气态源分子束外延一步生长方法制备出一系列25级至100级含400－2200层的中红外波段InP基含砷含磷InP/InAlAs/InGaAs量子级联激光器结构材料。所制备的400－2200层的QCL结构都能做出优质器件，表明本发明的QCL原子层尺度外延材料质量控制方法是成功的。其思路也适合于其它III－V族化合物半导体材料与器件。 | ||
| 搜索关键词： | 磷化 量子 级联 激光器 原子 尺度 外延 材料 质量 控制 方法 | ||
【主权项】：
1、一种磷化铟基量子级联激光器原子层尺度外延材料质量控制方法，其特征在于在用气态源分子束外延生长磷化铟基含砷含磷量子级联激光器结构的不间断生长方法中，原子层尺度外延材料质量控制包括(1)外延层原子层界面砷/磷原子混凝控制；(2)外延层的组份均匀性控制；(3)外延层厚度的控制；(4)外延层施主掺杂的控制。
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