[发明专利]用新型存储结接触孔提高光刻工艺裕度的方法有效
| 申请号： | 200510027615.4 | 申请日： | 2005-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN1892421A | 公开（公告）日： | 2007-01-10 |
| 发明（设计）人： | 吴金刚;李承赫;陈国庆;三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;H01L21/20;H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海新高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 刘名华;楼仙英 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 用新型存储结接触孔提高光刻工艺裕度的方法，新型存储结接触孔的轮廓是长椭圆形，包括：步骤1，在要形成存储结接触孔的硅晶片上涂覆光刻胶层，进行光刻腐蚀，形成长椭圆形存储结接触孔(SNC)图形；步骤2，长椭圆形存储结接触孔(SNC)图形进行自对准蚀刻形成长椭圆形存储结接触孔(SNC)；步骤3，淀积多晶硅层；步骤4，化学机械研磨(CMP)多晶硅层，直到暴露出隔离两个相邻的存储结接触孔的位线顶上的氮化硅(SiN)隔离层为止。使光刻工艺景深裕度从圆形接触孔的0.38μm提高到用长椭圆形接触孔的0.59μm。准确地形成相对于位线对称的直径为130±13nm的两个小接触孔。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 存储 接触 提高 光刻 工艺 方法 | ||
【主权项】：
1、用新型存储结接触孔提高光刻工艺裕度的方法，新型存储结接触孔的轮廓是长椭圆形，包括以下工艺步骤：步骤1，在要形成存储结接触孔的硅晶片上涂覆光刻胶层，进行光刻腐蚀，形成相对于位线对称的长椭圆形存储结接触孔(SNC)图形；步骤2，长椭圆形存储结接触孔(SNC)图形进行自对准腐蚀形成长椭圆形存储结接触孔(SNC)步骤3，淀积多晶硅层；步骤4，化学机械研磨(CMP)多晶硅层，直到暴露出隔离两个相邻的存储结接触孔的位线顶上的氮化硅(SiN)隔离层为止。
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