[发明专利]在硼硅玻璃表面加工微槽阵列的方法无效
| 申请号： | 200510026205.8 | 申请日： | 2005-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN1699234A | 公开（公告）日： | 2005-11-23 |
| 发明（设计）人： | 戴旭涵;赵小林;丁桂甫;蔡炳初 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C03C17/06 | 分类号： | C03C17/06;C03C15/00;C25D3/38;C25D3/48 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种在硼硅玻璃表面加工微槽阵列的方法，属于先进制造技术领域。本发明采用在清洗干净的硼硅玻璃片表面溅射铬铜种子层，经过光刻，形成加工玻璃深槽阵列的掩膜窗口；将硼硅玻璃片置入腐蚀液去除窗口内的铬铜种子层，分析纯丙酮中超声去胶，采用电镀方法，首先电镀铜掩膜，然后在铜掩膜上再电镀金掩膜，腐蚀，连续刻蚀，从而在硼硅玻璃表面刻出底部光滑的微沟槽阵列。本发明简便易行，基于溅射和无掩膜微电镀工艺来制备湿法腐蚀硼硅玻璃的掩膜，从而达到减小针孔缺陷和钻蚀量的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 玻璃 表面 加工 阵列 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在硼硅玻璃表面加工微槽阵列的方法，其特征在于，包括步骤如下：(1)在清洗干净的硼硅玻璃片表面溅射铬铜种子层；(2)在溅射了铬铜种子层的硼硅玻璃片上旋涂上一层光刻胶，经过光刻，形成加工玻璃深槽阵列的掩膜窗口；(3)将开出掩膜窗口的硼硅玻璃片置入腐蚀液去除窗口内的铬铜种子层；(4)将硼硅玻璃片置入分析纯丙酮中超声去胶；(5)采用电镀方法，在开出窗口的铬铜种子层表面电镀金属掩膜，首先电镀铜掩膜，然后在铜掩膜上再电镀金掩膜；(6)将电镀好金属掩膜的硼硅玻璃片放入湿法腐蚀液中腐蚀，连续刻蚀，从而在硼硅玻璃表面刻出底部光滑、深度大于100微米的微沟槽阵列，进一步增加刻蚀时间，则可以获得更深的微沟槽阵列。
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