[发明专利]一种熔体晶体实时观察系统无效

专利信息
申请号: 200510025815.6 申请日: 2005-05-13
公开(公告)号: CN1721586A 公开(公告)日: 2006-01-18
发明(设计)人: 金蔚青;洪勇;梁歆桉;潘志雷;刘照华;潘秀宏 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: C30B35/00 分类号: C30B35/00;C30B15/26
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 20005*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及氧化物的高温熔体晶体生长的实时观察系统。整个系统包括晶体生长部分、生长过程观察部分,生长过程记录部分和磁场发生部分,属于单晶生长领域。其中晶体生长部分包括生长炉、生长炉加热用电源、测温热电偶及其数字显示仪。生长观察部分采用的是通过引入休仑效应而改进后的休仑—微分干涉显微镜。磁场发生系统为改进了的外斯型电阻式连续可调磁场发生系统。本发明的观察系统创新的结合应用光学干涉和Schliren(休仑)的显微实时观察法,能同时实时观察界面动力学过程与熔体流动过程。
搜索关键词: 一种 晶体 实时 观察 系统
【主权项】:
1、一种熔体晶体实时观察系统,其特征在于整个系统包括晶体生长部分、生长过程观察部分,生长过程记录部分和磁场发生部分组成,其四个部分必不可少。
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