[发明专利]一种绝缘体上硅的电学参数的表征方法

摘要

本发明提供一种绝缘体上硅(SOI)的电学参数的表征方法，属于微电子与固体电子学、硅基集成光电子器件材料的一种表征方法。其特征在于所述的方法以四探针测试平台为基础，附加导电样品台，搭建起一套赝MOS(Metal－Oxide－Semiconductor：金属－氧化物－半导体)系统，采用类似于MOSFET的分析手段表征绝缘体上的硅材料的埋层氧化物电荷密度，界面态密度等电学参数。具有简便易行、成本低、测试过程迅速等优点，可以作为SOI材料规模化生产的在线表征方法。

主权项

1、一种绝缘体上的硅的电学参数的表征方法，其特征在于：(a)首先，将待测的绝缘层上硅材料的顶层硅刻蚀出独立的硅岛，埋层氧化物保持完整；(b)将步骤(a)所得的绝缘上层硅材料置于导电样品台上，相距一定距离的双探针压在硅岛的中央部分，从双探针端口(1)、(2)和导电样品台上端口(3)，连结到半导体I-V参数测试仪，组成一个类MOS结构的测试系统；(c)扫描导电端口(3)电压，测出绝缘层上硅材料顶层硅上端口(1)和端口(2)间的电流，得到一组ID-VG曲线；(d)在ID-VG曲线上读出亚阈值斜率S和平带电压VFB，利用公式方便计算出埋层氧化物的电荷密度和界面态密度。