[发明专利]厘米级长度的银单晶纳米线阵列的制备方法

摘要

厘米级长度的银单晶纳米线阵列的制备方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明选用裸玻璃光纤为基底，用真空热蒸镀方法在裸玻璃光纤一侧沉积两片银膜分别作为阴极和阳极，在阴极和阳极之间沿光纤轴向沉积RbAg₄I₅银离子导电薄膜，并使其覆盖阴极和阳极。在真空中，对阴极和阳极之间施加恒定直流电压，经数十小时后，阴极边缘生长出长度达厘米量级的银单晶纳米线阵列。该方法在全固态环境且无任何模板的条件下实现，操作简单，阵列长度由通电时间控制，阵列中的银纳米线彼此平行排列，且该阵列易于从基底分离，可作为导线或器件应用于宏观尺度的电子学、光电子学领域中，或直接作为表面增强拉曼散射基底用于化学分析领域中。

主权项

1.一种制备厘米级长度的银单晶纳米线阵列的方法，其特征在于该方法按如下步骤进行：(1)采用裸玻璃光纤作为基底，利用真空热蒸镀的方法，在裸玻璃光纤一侧沿光纤轴向沉积两片银膜分别作为阴极和阳极；(2)在阴极和阳极之间沿光纤轴向沉积RbAg4I5银离子导电薄膜，并使其覆盖阴极和阳极；(3)将阴极和阳极分别与直流恒压源的负极和正极连接，在真空状态下，对阴极和阳极之间施加恒定直流电压，使电场方向平行于光纤轴向；其电压值为200～500毫伏特，通电时间至少为40小时。