[发明专利]掩模的制造方法

摘要

本发明的课题是，提供一种对构成有机EL元件的像素的薄膜图形能以对应于高精细像素的精度成膜的掩模。根据本发明的一种掩模，用于在被成膜面上按照规定图形形成薄膜，具有对应于上述图形的开口部，其特征在于：该掩模由单晶硅构成，上述开口部的尺寸在掩模的厚度方向规定位置即边界位置处对应于上述图形的尺寸，从上述边界位置朝向两个掩模面比上述图形增大，从上述边界位置到各掩模面的距离不同。

主权项

1.一种掩模的制造方法，该掩模用于在被成膜面上按照规定图形形成薄膜，具有对应于上述图形的开口部，该掩模由单晶硅构成，上述开口部的尺寸在掩模的厚度方向规定位置即边界位置处对应于上述图形的尺寸，从上述边界位置朝向两个掩模面比上述图形增大，从上述边界位置到各掩模面的距离不同，具有形成了上述开口部的厚度薄的部分，以及不形成上述开口部的厚的部分，具有形成了开口部的厚度薄的部分、以及不形成上述开口部的厚的部分，该掩模的制造方法的特征在于：通过沿厚度方向刻蚀面取向为(100)面的单晶硅衬底，在上述衬底的面内的一部分上形成厚度恒定的厚度薄的部分，在上述厚度薄的部分的第一面上形成具有对应于上述开口部的贯通孔的第一保护膜图形，在上述厚度薄的部分的第二面上形成具有对应于上述开口部的凹部的第二保护膜图形，在该状态下，通过进行利用了晶向依赖性的各向异性湿法刻蚀，在对应于上述厚度薄的部分的上述开口部的位置形成贯通孔，以便在上述第一面处的尺寸比在上述开口部的上述边界位置处的尺寸大，而且在上述第二面处的尺寸比在上述开口部的上述边界位置处的尺寸及上述凹部的尺寸小，其次，在除去上述凹部的厚度部分的条件下，通过进行湿法刻蚀，在上述凹部成为贯通孔的第三保护膜图形上构成上述第二保护膜图形，同时形成保护膜存在于上述第一面上的状态，在该状态下，通过进行利用了晶向依赖性的各向异性湿法刻蚀，使从上述第三保护膜图形上的贯通孔露出的上述厚度薄的部分在上述边界位置处的尺寸达到规定尺寸为止。