[发明专利]介电体元件、压电体元件、喷墨头及其制造方法有效
| 申请号： | 200510004145.X | 申请日： | 2005-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN1636729A | 公开（公告）日： | 2005-07-13 |
| 发明（设计）人： | 青木活水;武田宪一;福井哲朗;舟洼浩;冈本庄司;浅野刚司 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社;舟洼浩 |
| 主分类号： | B41J2/045 | 分类号： | B41J2/045;B41J2/14 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 岳耀锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种介电体元件、压电体元件、喷墨头及其制造方法。其中，在用来制造介电体层的成膜用的通用基板上设置优先取向或单轴取向的晶体结构的介电体层。在基板上依此设置第1电极层、第2电极层及介电体层；这些层具有优先取向或单轴取向；基于上述第1电极层、上述第2电极层及上述介电体层的优先取向轴或单轴取向轴的X射线衍射测定得到的峰，根据伪沃伊特函数拟合得到的半高宽分别处于特定的范围，即使是使用成膜用的通用基板也可以稳定地获得所希望的品质的介电体层。 | ||
| 搜索关键词： | 介电体 元件 压电 喷墨 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种介电体元件，在基板上依此具有下部电极层、介电体层及上部电极层，其特征在于：上述下部电极层及上述上部电极层中的至少一个具有以金属为主要成分的第1电极层和以氧化物为主要成分的第2电极层；上述第1电极层、上述第2电极层及上述介电体层分别具有优先取向或单轴取向的晶体结构；基于上述第1电极层、上述第2电极层及上述介电体层的优先取向轴或单轴取向轴的X射线衍射测定得到的峰，根据伪沃伊特函数拟合得到的半高宽分别为f1、f2、f3时，满足下述一般式(1)：f3＞f2＞f1≥0.1°............(1)并且，f1为0.1°至10°。
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