[发明专利]一种纳米蒙脱土有机相插层的制备方法

摘要

本发明涉及一种纳米蒙脱土有机相插层的制备方法，包括：将纳米蒙脱土在极性有机溶剂中高速搅拌，超声，形成稳定的悬浮体系后静置；然后在50～85℃下搅拌，加入插层剂的有机溶液，高速搅拌，再超声；加入能溶解于上述有机溶剂的、两端基为羟基的聚二醇，在50～85℃下搅拌；过滤，得到粘稠的层间距大于1.9纳米的蒙脱土。该方法首先将纳米蒙脱土在极性有机溶剂中分散，避免了在水中分散的纳米蒙脱土需要从水相向有机相进行置换的过程，使得该制备方法大为简化，更能适合与在生产线上批量处理；该方法使用聚二醇在粘土片层间的插层，可以进一步地利用聚二醇两端的羟基制备聚醚醇或聚酯醇/粘土复合材料。

主权项

1、一种纳米蒙脱土有机相插层的制备方法，包括如下的步骤：1)将阳离子交换容量为50～200毫克当量/每100克，层间距为2～6的纳米蒙脱土20～40份在30～1000份温度为50～85℃的有机溶剂中高速搅拌，超声0.4～3小时，形成稳定的悬浮体系，静置5～48小时；所述的有机溶剂为极性有机溶剂；2)将步骤1)得到的悬浮体系在50～85℃下搅拌0.5～3小时，然后将插层剂0.1～10份在5～20份相同有机溶剂中溶解后加入到该悬浮体系中，在50～90℃下高速搅拌0.5～5小时，再超声0.5～3小时；所述的插层剂为长链烷基季胺盐或己二酸二胺盐；3)向步骤2)得到的悬浮体系中加入聚二醇0.1～10份，在50～85℃下搅拌2～6小时；4)将步骤3)得到的悬浮体系过滤，得到粘稠的层间距大于1.9纳米的蒙脱土。