[发明专利]用于浸式光刻的方法和器件无效
申请号: | 200480028688.9 | 申请日: | 2004-10-01 |
公开(公告)号: | CN1864103A | 公开(公告)日: | 2006-11-15 |
发明(设计)人: | 艾伦·卡罗尔 | 申请(专利权)人: | 麦克罗尼克激光系统公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 李晓舒;魏晓刚 |
地址: | 瑞典*** | 国省代码: | 瑞典;SE |
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摘要: | 本发明涉及用于构图工件的浸式光刻系统,所述工件布置在像平面且至少部分地被覆盖以对电磁辐射敏感的层。所述系统包括:源,其发射电磁辐射到物平面上;掩模,其适于在所述物平面处接收和调制所述电磁辐射,并朝向所述工件传递所述电磁辐射;以及浸入媒质,其接触所述光刻系统的最终透镜的至少一部分以及部分所述工件,其中所述接触的区域通过毛细力受到限制。本发明还涉及用于构图工件的方法以及这样的浸式透镜。 | ||
搜索关键词: | 用于 光刻 方法 器件 | ||
【主权项】:
1.一种用于构图工件的浸式光刻系统,所述工件布置在像平面且至少部分地被覆盖以对电磁辐射敏感的层,该浸式光刻系统包括:-源,其发射电磁辐射到物平面上;-调制器,其适于根据输入图案描述在所述物平面处接收和调制所述电磁辐射,且适于朝向所述工件传递所述电磁辐射;-浸入媒质,其接触所述光刻系统的浸式光学装置的至少一部分以及部分所述工件,其中所述浸入媒质通过布置在所述浸式光学装置中的至少一个孔供应。
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