[发明专利]制造氧化硅薄膜和光学多层膜的方法有效
| 申请号： | 200480010952.6 | 申请日： | 2004-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN1777689A | 公开（公告）日： | 2006-05-24 |
| 发明（设计）人： | 池田徹;真下尚洋;志堂寺荣治;神山敏久;片山佳人 | 申请（专利权）人： | 旭硝子株式会社;旭硝子陶瓷株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/10 | 分类号： | C23C14/10;C23C14/34;C23C14/35;G02B1/10;G02B1/11;C23C14/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 顾敏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种制造氧化硅薄膜的方法，因而能以高沉积速率连续形成具有一致光学常数如折射率、吸收系数等的薄膜。该方法包括：使用包含碳化硅和硅的溅射靶，其C与Si的原子数比为0.5－0.95，在含氧化气体的气氛中，用频率为1－1,000kHz交流电进行AC溅射，在一基片上沉积氧化硅薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 氧化 薄膜 光学 多层 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造氧化硅薄膜的方法，该方法包括：在含氧化气体的气氛中，采用含有C与Si原子数比为0.5-0.95的碳化硅和硅的溅射靶，用频率为1-1,000kHz的交流电进行AC溅射，在基片上沉积氧化硅薄膜。
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