[发明专利]垂直磁记录介质无效
申请号: | 200410104730.2 | 申请日: | 2004-10-20 |
公开(公告)号: | CN1763847A | 公开(公告)日: | 2006-04-26 |
发明(设计)人: | 李炅珍;金庸洙 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11B5/667 | 分类号: | G11B5/667;G11B5/72 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 李晓舒;魏晓刚 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: |
本发明涉及一种垂直磁记录介质。该垂直磁记录介质包括下层和上层之间的垂直磁记录层,其中垂直磁记录层的厚度在K>105erg/cm3且D>(30KB |
||
搜索关键词: | 垂直 记录 介质 | ||
【主权项】:
1.一种垂直磁记录介质,包括在下层和上层之间的垂直磁记录层,其中该垂直磁记录层的厚度t1由表达式 确定,此处K>105erg/cm3, D表示该记录层的平均颗粒直径,并且A表示该记录层的材料的交换常数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200410104730.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。