[发明专利]一种激光晶体材料硼酸铥铝及其制备方法和用途无效

专利信息
申请号: 200410097534.7 申请日: 2004-11-28
公开(公告)号: CN1780075A 公开(公告)日: 2006-05-31
发明(设计)人: 涂朝阳;夹国华;吴柏昌;李坚富;朱昭捷;黄燕 申请(专利权)人: 中国科学院福建物质结构研究所
主分类号: H01S3/16 分类号: H01S3/16;G02B1/02;C30B29/10
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 350002福*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 一种激光晶体材料硼酸铥铝及其制备方法和用途涉及晶体材料领域。硼酸铥铝是一种新型多功能激光晶体材料,其分子式为TmAl3(BO3)4(简称TAB),它既是一种具有很高浓度激活离子的自激活激光晶体,又是一种具有较高非线性光学效应的变频材料。其晶体结构属于三方晶系,空间群为R32,晶胞参数a=9.2741(13),c=7.218(3),α=β=90°,γ=120°,v=537.7(2)3,Dc=4.495g/cm,它的倍频系数是KDP的≈3.5倍,在≈800nm处有较强的吸收,它在≈1.5μm和≈2.0μm都有较强的宽带荧光发射;在1.2μm附近也有较强的宽带荧光发射。以K2Mo3O10+Al2O3+B2O3为助熔剂,采用熔盐法进行TAB晶体生长。有望将TAB晶体制成LD抽运的全固化小型、高效微片晶体激光器,在红光和近红外波段(特别是人眼安全波段)实现高效的多波段、可调谐激光及其变频输出。
搜索关键词: 一种 激光 晶体 材料 硼酸 及其 制备 方法 用途
【主权项】:
1.一种激光晶体材料硼酸铥铝,其特征在于:该晶体的分子式为TmAl3(BO3)4(简称TAB),其晶体结构属于三方晶系,空间群为R32,晶胞参数为a=9.2741(13),c=7.218(3),α=β=90°,γ=120°,v=537.7(2)3,Dc=4.495g/cm,它的倍频系数是KDP的≈3.5倍,在≈800nm处有较强的吸收,它在≈1.5μm和≈2.0μm都有较强的宽带荧光发射;在1.2μm附近也有较强的宽带荧光发射。
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