[发明专利]提供磁存储装置的自由层中磁致伸缩控制的方法和设备有效
| 申请号： | 200410094672.X | 申请日： | 2004-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN1617230A | 公开（公告）日： | 2005-05-18 |
| 发明（设计）人： | 詹姆斯·M·弗赖塔格;马斯塔法·M·皮纳巴西 | 申请（专利权）人： | 日立环球储存科技荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种为磁存储装置的自由层提供磁致伸缩控制的方法和设备。自由层可使用相同目标成分，但是在不改变磁致伸缩比率ΔR/R的条件下通过改变相对厚度值来获得要求的磁致伸缩。该方法包括：形成被钉扎层；在所述被钉扎层上面形成隔离层；形成具有第一厚度的第一自由层；及形成具有第二厚度的第二自由层，选择所述第一厚度和第二厚度的比率来提供要求的磁致伸缩。 | ||
| 搜索关键词： | 提供 存储 装置 自由 层中磁致 伸缩 控制 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种控制磁存储装置的自由层中磁致伸缩的方法，包括：形成被钉扎层；在所述被钉扎层上面形成隔离层；形成具有第一厚度的第一自由层；及形成具有第二厚度的第二自由层，选择所述第一厚度和第二厚度的比率来提供要求的磁致伸缩。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日立环球储存科技荷兰有限公司，未经日立环球储存科技荷兰有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410094672.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：在半导体器件中形成金属线的方法
- 下一篇：具有电容器的半导体器件及其制造方法
