[发明专利]一种磁性靶向缓释型卡托普利及其制备方法

摘要

本发明涉及一种磁性靶向缓释型卡托普利及其制备方法。本发明以尖晶石型铁氧体及四氧化三铁为磁性物种，阴离子层状材料LDHs为主体，卡托普利为插层客体，通过自组装实现了Cpl－LDHs/MP的结构设计。该磁性卡托普利缓释剂为壳核型结构，即在磁性纳米颗粒外包覆层状材料Cpl－LDHs，比饱和磁化强度为1.0－6.0emu/g，其颗粒粒度分布在20－200nm。该磁性缓释剂中卡托普利质量百分含量为10－50％；缓释持效期可达到0.4h－13h。

主权项

1.一种磁性靶向缓释型卡托普利，其化学式为：(M2+)1-x(M3+)x(OH)2(Cpl-)a(Cpl2-)b(Bn-)c·mH2O/(MP)y 其中M2+是二价金属离子Zn2+、Mg2+、Ni2+、Cu2+、Fe2+、Co2+、Ca2+、Mn2+中的任何一种；M3+是三价金属离子Al3+、Fe3+、Cr3+、V3+、Co3+、Ga3+、Ti3+中的任何一种；Cpl-、Cpl2-分别代表层间一价、二价卡托普利阴离子；Bn-为荷电量为n的无机阴离子，Bn-可以不存在或为CO32-、NO3-、Cl-、Br-、I-、OH-、H2PO4-中的任何一种；0.1＜X＜0.8；a、b、c分别为Cpl-、Cpl2-、Bn-的数量，且a+2×b+n×c＝X；m为结晶水数量，0.01＜m＜4；MP代表磁性物质MgFe2O4、NiFe2O4、CoFe2O4、ZnFe2O4、MnFe2O4或Fe3O4中的任何一种；y为MP的数量，0.001＜y＜1；该磁性缓释剂的比饱和磁化强度为1.0-6.0emu/g，粒度分布在20-200nm，磁性缓释剂中卡托普利质量百分含量为10-50％；缓释持效期是0.4-13h。