[发明专利]加热磁随机存取存储单元以易于状态转换有效
| 申请号： | 200410090531.0 | 申请日： | 2004-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN1612263A | 公开（公告）日： | 2005-05-04 |
| 发明（设计）人： | H·李;T·C·安东尼;M·沙马 | 申请（专利权）人： | 惠普开发有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;H01L43/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;梁永 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种制造磁随机存取存储器(MRAM)(100，200，300)的方法，此方法可降低MRAM阵列中存储单元(102，202，302，402)的热传导。此方法利用位线和字线(110，112，210，304，404，406)格栅来选择性地存取磁存储单元(102，202，302，402)阵列中的数据。所述栅格具有多个热阻和电阻部分(116，214，304，404)，它们提供对磁存储单元(102，202，302，402)的连接。电阻性部分(116，214，304，404)增加了对各存储单元(102，202，302，402)所产生的热的热阻且在工作时提供对有源存储单元(102，202，302，402)的局部加热，以方便于单元状态的转换。 | ||
| 搜索关键词： | 加热 随机存取 存储 单元 易于 状态 转换 | ||
【主权项】：
1.一种磁随机存取存储器(100，200，300)，它包括：磁存储单元(102，202，302，402)阵列，它们以不同的阻抗值存储数据；位线和字线(110，112，114，210，212，304，404，406)网格，用于选择性地存取所述磁存储单元(102，202，302，402)阵列中的数据；以及多个相应的电阻器(116，214，304，404)，它们各自与所述磁存储单元(102，202，302，402)以及所述位线和字线(110，112，114，210，212，304，404，406)之一串联；其中，所述相应的电阻器(116，214，304，404)导致对所述磁存储单元(102，202，302，402)中选择的磁存储单元的局部加热，这有助于所述磁存储单元的转换。
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