[发明专利]用于高速数据存取的半导体存储装置有效
申请号: | 200410087153.0 | 申请日: | 2004-11-01 |
公开(公告)号: | CN1637940A | 公开(公告)日: | 2005-07-13 |
发明(设计)人: | 高在范;安进弘;洪祥熏;金世埈 | 申请(专利权)人: | 海力士半导体有限公司 |
主分类号: | G11C11/401 | 分类号: | G11C11/401;G11C11/4093 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王学强 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 一种半导体存储装置,具有一高速度的数据传送,其包括多个单元方块,每一单元方块具有多个用以储存数据的单位单元;多个区域位线感测放大方块,每一区域位线感测放大方块用以感测及放大在N个单元方块中所储存的数据;总体位线感测放大方块,用以锁存上述区域位线感测放大方块所放大的数据;以及数据传送方块,用以将上述数据从上述区域位线感测放大方块传送至上述总体位线感测放大方块。 | ||
搜索关键词: | 用于 高速 数据 存取 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体存储装置,具有高速度的数据传送,包括:多个单元方块,每一单元方块具有多个用以储存数据的单位单元;多个区域位线感测放大方块,每一区域位线感测放大方块用以感测及放大在该N个单元方块中所储存的数据;总体位线感测放大方块,用以锁存该区域位线感测放大方块所放大的数据;以及数据传送方块,用以将该数据从该区域位线感测放大方块传送至该总体位线感测放大方块。
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