[发明专利]外围电路平衡驱动的磁随机存取存储器无效
| 申请号： | 200410086219.4 | 申请日： | 2004-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN1604230A | 公开（公告）日： | 2005-04-06 |
| 发明（设计）人： | 魏红祥;杨捍东;彭子龙;翟光杰;韩秀峰;詹文山 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;G11C7/00 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 尹振启 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种外围电路平衡驱动的磁随机存取存储器，包括：a)由外围电路构成的存储器控制单元，该控制单元独立于磁性薄膜存储单元构成的存储单元阵列，手动或自动地选择信息读取和写入的位置；b)由磁性薄膜存储单元构成的存储单元阵列；c)顶电极读字线和底电极写字线相互正交，磁性薄膜存储单元位于顶电极读字线与底电极写字线之间；d)顶电极读字线与底电极写字线的共用一对电极，通过读写转换开关控制读电流和写电流的通过。本发明不采用传统的与半导体CMOS匹配的方法，而直接采取简单的常规外围电路来实现信息的读取与写入，大大简化了存取存储器的结构，从而降低了存取存储器的生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 外围 电路 平衡 驱动 随机存取存储器 | ||
【主权项】：
1、一种外围电路平衡驱动的磁随机存取存储器，其特征在于，包括：a)由外围电路构成的存储器控制单元，该控制单元独立于磁性薄膜存储单元构成的存储单元阵列，手动或自动地选择信息读取和写入的位置；b)由磁性薄膜存储单元构成的存储单元阵列；c)顶电极读字线和底电极写字线相互正交，磁性薄膜存储单元位于顶电极读字线与底电极写字线之间；d)顶电极读字线与底电极写字线的共用一对电极，通过读写转换开关控制读电流和写电流的通过。
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