[发明专利]自适应的光刻临界尺寸增强有效
| 申请号: | 200410078927.3 | 申请日: | 2004-09-16 |
| 公开(公告)号: | CN1629729A | 公开(公告)日: | 2005-06-22 |
| 发明(设计)人: | T·D·海尔;W·T·特;T·J·戴维斯;T·A·帕斯顿 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;H01L21/00;G06F17/00 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 傅康;梁永 |
| 地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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| 摘要: | 本发明提出了用于提高光刻系统中的CD均匀性的系统、装置和方法。该系统包括构造为曝光衬底的曝光装置、与该曝光装置和多个处理模块和装置可操作连接的流水线装置。该系统还包括测量装置,所述测量装置被构造成测量被曝光和处理的衬底的属性,并基于预先规定的衬底形貌信息评估被曝光和处理的衬底属性是否均匀。该系统还包括一种模块,该模块被构造成当确定所述属性不均匀时,就基于所测量的属性自适应地计算校正曝光数据。该校正曝光数据被构造成通过调节曝光装置的曝光剂量来校正衬底的不均匀性。一旦衬底被评估为具有了需要的均匀性,就根据校正曝光数据使用曝光装置来曝光衬底,继续监测被曝光衬底的均匀性并且根据需要更新剂量校正以保持均匀性。 | ||
| 搜索关键词: | 自适应 光刻 临界 尺寸 增强 | ||
【主权项】:
1.一种用于提高由光刻系统处理的衬底的均匀性的方法,该光刻系统具有曝光衬底的曝光装置、在曝光前处理衬底的曝光前装置、以及在曝光后处理衬底的曝光后装置,所述方法包括:测量由所述光刻系统处理的衬底的属性;基于预先规定的衬底形貌信息,评估所述测量衬底属性是否均匀;当确定所述测量衬底属性不均匀时,就基于所述测量衬底属性计算校正曝光数据,通过调节所述光刻系统的所述曝光装置中的曝光剂量,构造所述校正的曝光数据,以校正所述衬底属性的不均匀;和根据所述校正的曝光数据来曝光衬底。
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