[发明专利]射频磁控溅射法制备γ－LiAlO2单晶薄膜覆盖层衬底的方法无效
| 申请号： | 200410067894.2 | 申请日： | 2004-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN1603457A | 公开（公告）日： | 2005-04-06 |
| 发明（设计）人： | 夏长泰;王银珍;周圣明;张连翰;徐军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种射频磁控溅射法制备γ－LiAlO2单晶薄膜覆盖层衬底的方法，先合成制备γ－LiAlO2靶材，然后利用射频磁控溅射法在α－Al2O3或硅等单晶衬底上制备γ－LiAlO2单晶薄膜，本发明的射频磁控溅射法制备γ－LiAlO2单晶薄膜覆盖层衬底的工艺简单、易操作，此种具有γ－LiAlO2单晶薄膜覆盖层衬底材料适合于高质量GaN的外延生长。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 磁控溅射 法制 lialo sub 薄膜 覆盖层 衬底 方法 | ||
【主权项】：
1、一种射频磁控溅射法制备γ-LiAlO2单晶薄膜覆盖层衬底的方法，其特征是先制备γ-LiAlO2靶材，然后利用射频磁控溅射法在α-Al2O3或硅衬底上形成γ-LiAlO2单晶薄膜覆盖层。
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