[发明专利]双边对称结构的基于半导体致冷器的纳米级位移驱动部件无效
| 申请号： | 200410067743.7 | 申请日： | 2004-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN1603720A | 公开（公告）日： | 2005-04-06 |
| 发明（设计）人： | 胡旭晓 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | F25B21/02 | 分类号： | F25B21/02 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 张法高 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双边对称结构的基于半导体致冷器的纳米级位移驱动部件。它是在变形体的X方向左、右两侧同时安装第一半导体致冷器、第二半导体致冷器，变形体与半导体致冷器之间涂有导热硅胶，第一半导体致冷器的另一侧设有第一散热器，第二半导体致冷器的另一侧设有第二散热器，第一散热器、第二散热器、第一半导体致冷器、第二半导体致冷器与变形体通过对称的二根弹簧固定，在变形体上、下侧设有上绝热层和下绝热层。本发明的优点：1)采用对称结构的半导体致冷器作为纳米级位移驱动部件的热驱动源，既可以加热，又可以致冷；2)双边对称结构提高纳米级位移驱动部件进给面的平面度，防止应力过分集中；3)驱动器能够提高综合刚度，实现大进给力。 | ||
| 搜索关键词： | 双边 对称 结构 基于 半导体 致冷 纳米 位移 驱动 部件 | ||
【主权项】：
1.一种双边对称结构的基于半导体致冷器的纳米级位移驱动部件，其特征在于，在变形体(7)的X方向左、右两侧同时安装第一半导体致冷器(2)、第二半导体致冷器(4)，变形体(7)与半导体致冷器之间涂有导热硅胶，第一半导体致冷器(2)的另一侧设有第一散热器(1)，第二半导体致冷器(4)的另一侧设有第二散热器(5)，在变形体(7)上、下侧设有上绝热层(3)和下绝热层(8)，第一半导体致冷器(2)、第二半导体致冷器(4)由驱动部件控制器控制。
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