[发明专利]磁存储装置与磁基片无效
| 申请号： | 200410064298.9 | 申请日： | 2001-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN1577617A | 公开（公告）日： | 2005-02-09 |
| 发明（设计）人： | 国清辰也;永久克已;前田茂伸 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;G11C7/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 梁永 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种磁存储装置，配备存储器单元阵列和电感，该存储器单元阵列由多个存储器单元构成，该存储器单元包括非接触地交叉、构成矩阵的多个位线和多个字线以及分别配置在所述多个位线和所述多个字线的交叉部上的至少一个磁隧道结，所述至少一个磁隧道结具有可变更磁化方向的软铁磁层，所述电感在沿着作为所述软铁磁层的易磁化方向的易磁化轴的方向上产生磁场。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 磁基片 | ||
【主权项】：
1.一种磁存储装置，配备存储器单元阵列和电感，该存储器单元阵列由多个存储器单元构成，该存储器单元包括非接触地交叉、构成矩阵的多个位线和多个字线以及分别配置在所述多个位线和所述多个字线的交叉部上的至少一个磁隧道结，所述至少一个磁隧道结具有可变更磁化方向的软铁磁层，所述电感在沿着作为所述软铁磁层的易磁化方向的易磁化轴的方向上产生磁场。
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