[发明专利]光学读取头取样介面系统无效
| 申请号： | 200410063593.2 | 申请日： | 2004-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN1588549A | 公开（公告）日： | 2005-03-02 |
| 发明（设计）人： | 刘智民 | 申请（专利权）人： | 威盛电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11B21/00 | 分类号： | G11B21/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 文琦;陈肖梅 |
| 地址： | 台湾省台北县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种光学读取头取样介面系统，包含光学读取头、P型金氧半导体(PMOS)、提升电压电路以及取样保持电路。光学读取头输出一读片电压与一烧录电压之一。PMOS以栅极接收栅极电压，使PMOS为导通状态，将读片电压传送到取样保持电路，另内部基底部分接收控制电压。提升电压电路用以提高该栅极电压到大于该控制电压，使PMOS由导通状态切换到隔离状态，以阻隔该烧录电压。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 读取 取样 介面 系统 | ||
【主权项】：
1.一种光学读取头取样介面系统，其特征在于，包含：一光学读取头，输出一读片电压与一烧录电压之一；一P型金氧半导体PMOS，具有一第一源/漏极接收该读片电压与该烧录电压之一，一栅极接收一栅极电压，用以使该PMOS的一第二源/漏极与该第一源/漏极为导通状态，一内部基底部分接收一控制电压；一提升电压电路，连接至该PMOS的栅极，用以提高该栅极电压到大于该控制电压，使该第一源/漏极与该第二源/漏极由导通状态切换到隔离状态，以阻隔该烧录电压；以及一取样保持电路，连接至该第二源/漏极，对该读片电压进行取样保持。
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