[发明专利]薄膜磁头的制造方法

摘要

本发明提供一种薄膜磁头的制造方法，包含以下工序：形成下部屏蔽层(S101)，其后，形成MR元件(S103)，实施牵制层退火处理(S105)，通过该牵制层退火处理，在抗强磁性层和牵制层之间就会赋予交换耦合，其后，形成磁区控制层以及电极层(S107)，形成上部屏蔽层(S109)，其后，沿着得到纵向偏移磁场的方向上对磁区控制层磁化(S111)，之后，形成记录头(S113)，之后，把行列状多个排列薄膜磁头形成的基台切断成一体排列多个薄膜磁头的多条杆(S115)。

主权项

1、一种薄膜磁头的制造方法，该薄膜磁头包含：抗强磁性层；与所述抗强磁性层交换耦合，固定磁化方向的强磁性层；根据外部磁化，改变磁化方向的自由层；包含设置在所述强磁性层和所述自由层之间的非磁性层的磁阻效应元件；在所述自由层上施加纵向偏移磁场、用于磁区控制的磁区控制层；和夹持所述磁阻效应元件、对置配置的屏蔽该磁阻效应元件的第一及第二屏蔽层，其特征在于，包含以下工序，形成所述第一屏蔽层的工序；在形成所述第一屏蔽层的所述工序后实施的、形成所述磁阻效应元件的工序；在该强磁性层和所述抗强磁性层之间赋予交换耦合，使所述强磁性层沿规定方向磁化的热处理工序；形成所述磁区控制层使得在磁道宽度方向夹持所述磁阻效应元件的工序；在形成所述磁区控制层的所述工序后实施的、形成所述第二屏蔽层的工序，和在形成所述第二屏蔽层的所述工序后实施的，沿着得到所述纵向偏移磁场的方向对所述磁区控制层磁化的工序。