[发明专利]重直磁记录介质及使用该介质的磁存储设备无效
| 申请号： | 200410061537.5 | 申请日： | 2004-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN1637870A | 公开（公告）日： | 2005-07-13 |
| 发明（设计）人： | 中川宏之;武隈育子;平山义幸;细江让 | 申请（专利权）人： | 日立环球储存科技荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/667 | 分类号： | G11B5/667 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 杨林森;谷惠敏 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明提供一种垂直磁记录介质，其不仅可在中间层厚度等于或小于20nm的介质的区域获得磁记录层中晶粒间的磁隔离，而且具有优良的结晶织构，具有较低的介质噪声，优良的热稳定性和高可写性。该垂直磁记录介质至少具有顺序形成在基底11上的软磁性衬层13、第一中间层14、第二中间层15、第三中间层16和磁记录层17，磁记录层由铁磁性晶粒和氧化物或氮化物构成，第三中间层由Ru或Ru合金构成，第二中间层由面心立方晶格结构的金属或合金构成，第一中间层由六方密堆结构的金属或合金构成。 | ||
| 搜索关键词： | 重直磁 记录 介质 使用 存储 设备 | ||
【主权项】：
1.一种垂直磁记录介质，具有形成在基底上的软磁性衬层、中间层和磁记录层的，其中：所述磁记录层具有磁性晶粒被非磁性化合物包围的粒状结构；所述中间层具有第一中间层、第二中间层、和第三种中间层顺序层叠的结构；所述第一中间层包括具有六方密堆结构的金属或合金；所述第二中间层包括具有面心立方晶格结构的金属或合金；及所述第三中间层包括Ru或Ru合金。
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