[发明专利]TiN/SiO2纳米多层膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 200410053490.8 申请日: 2004-08-05
公开(公告)号: CN1587434A 公开(公告)日: 2005-03-02
发明(设计)人: 李戈扬;魏仑;许辉;胡祖光;梅芳华;祝新发;袁家栋 申请(专利权)人: 上海交通大学;上海工具厂有限公司
主分类号: C23C14/06 分类号: C23C14/06;C23C14/34
代理公司: 上海交达专利事务所 代理人: 王锡麟;王桂忠
地址: 200240*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种TiN/SiO2超硬纳米多层膜及其制备工艺,属于陶瓷薄膜领域。TiN/SiO2高硬度纳米多层膜由TiN层和SiO2层交替沉积在金属或陶瓷基底上形成,TiN层的厚度为2~9nm,SiO2层厚为0.45~1.2nm。本发明TiN/SiO2高硬度纳米多层膜的制作工艺是首先将金属或陶瓷基体的表面作镜面抛光处理,然后采用双靶射频溅射技术在基底上交替沉积TiN层和SiO2层得到TiN/SiO2高硬度纳米多层膜,其中TiN层和SiO2层材料由溅射靶材提供。本发明不但具有优良的高温抗氧化性,而且具有高的硬度;其硬度高于33GPa。最高硬度可达45GPa,最高弹性模量达460GPa。本发明作为高速切削刀具及其它在高温条件下服役耐磨工件的涂层,具有很高的应用价值。
搜索关键词: tin sio sub 纳米 多层 及其 制备 方法
【主权项】:
1、一种TiN/SiO2纳米多层膜,其特征在于,由SiO2层(1)和TiN层(2)交替沉积在金属或陶瓷基体(3)上形成,SiO2层(1)的厚度为0.45~1.2nm,TiN层(2)的厚度为2~9nm,纳米多层膜的总厚度为2-6μm。
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