[发明专利]掺铈焦硅酸镥亚微米成像荧光屏的制备方法

摘要

一种掺铈焦硅酸镥亚微米成像荧光屏的制备方法，其特征在于该成像荧光屏的结构表达式为：(Ce_xRe_yLu_1－x－y)₂Si₂O₇/(Lu_1－yRe_y)₂Si₂O₇，它是在晶面方向为(010)、(100)或(001)的(Lu_1－yRe_y)₂Si₂O₇，衬底上通过溶胶凝胶法生长一层(Ce_xRe_yLu_1－x－y)₂Si₂O₇闪烁薄膜构成的透明荧光屏，其中0.001≤x≤0.01，0≤y≤0.3。本发明的荧光屏与在先技术中荧光屏相比较，具有较高的X射线吸收系数和较高的分辨率；衬底采用与闪烁单晶薄膜之间不存在失配问题，单晶薄膜质量高，荧光屏的光学性质好。因此，采用本发明的闪烁荧光屏可以广泛应用于各种显微X射线成像应用领域中。

主权项

1、一种掺铈焦硅酸镥亚微米成像荧光屏的制备方法，其特征在于该成像荧光屏的结构表达式为：(CexReyLu1-x-y)2Si2O7/(Lu1-yRey)2Si2O7，它是在晶面方向为(010)、(100)或(001)的(Lu1-yRey)2Si2O7衬底上通过溶胶凝胶法生长一层(CexReyLu1-x-y)2Si2O7闪烁薄膜构成的透明荧光屏，其中0.001≤x≤0.01，0≤y≤0.3。