[发明专利]射频器件产品的通孔刻蚀方法有效
| 申请号： | 200410053418.5 | 申请日： | 2004-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN1731286A | 公开（公告）日： | 2006-02-08 |
| 发明（设计）人： | 吕煜坤 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种射频器件产品的通孔刻蚀方法，旨在提供一种刻蚀效率高且效果好的射频器件产品的通孔刻蚀方法。其技术方案的要点是：第一步，进行顶层氮氧化硅的刻蚀，将该层膜刻蚀干净；第二步，进行氧化膜的主刻蚀，追加50％的过刻蚀，以确保硅片面内每个接触孔都打开；第三步，对底部氮化硅进行刻蚀，调整三氟甲烷和氧气的比例，加上氩气稀释，选择对氧化膜高的刻蚀速率选择比去除氮氧化硅，使孔停在下层氮化钛中。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 器件 产品 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1、一种射频器件产品的通孔刻蚀方法，其特征在于：第一步，进行顶层氮氧化硅的刻蚀，将该层膜刻蚀干净；第二步，进行氧化膜的主刻蚀，追加50％的过刻蚀，以确保硅片面内每个接触孔都打开；第三步，对底部氮化硅进行刻蚀，调整三氟甲烷和氧气的比例，加上氩气稀释，选择对氧化膜高的刻蚀速率选择比去除氮氧化硅，使孔停在下层氮化钛中。
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