[发明专利]交流型等离子体显示板和形成地址电极的方法无效

专利信息
申请号: 200410044628.8 申请日: 2004-05-19
公开(公告)号: CN1574165A 公开(公告)日: 2005-02-02
发明(设计)人: 金起永;金永模;朴亨彬;藏尚勋;孙承贤;畑中秀和;洪禔贤 申请(专利权)人: 三星SDI株式会社
主分类号: H01J17/49 分类号: H01J17/49;H01J11/00;H01J9/02
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 邵亚丽;马莹
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种交流型等离子体显示板和形成地址电极的方法。在该交流型等离子体显示板中,相互面对安装后衬底和前衬底。在后衬底和前衬底之间形成放电单元。在后衬底上以条状形成多个地址电极。在后衬底上形成第一电介质层,并且第一电介质层隐埋了地址电极。在后衬底上以条状形成并成对排列多个维持电极,从而多个维持电极与地址电极交叉成直角。在后衬底上形成第二电介质层,并且第一电介质层隐埋了维持电极。在第二电介质层的下表面上形成保护层。在前和后衬底之间安置多个阻挡条,用于限定放电单元。每个阻挡条侧边用荧光层涂覆。每个放电电极包括在放电单元正下方放置的厚部分和位于相邻厚部分之间的薄部分,厚部分比薄部分厚。
搜索关键词: 交流 等离子体 显示 形成 地址 电极 方法
【主权项】:
1.一种等离子体显示板,包括:相互面对安装的后衬底和前衬底,在所述后衬底和前衬底之间形成放电单元;在所述后衬底上以条状形成的多个地址电极;在所述后衬底上形成的第一电介质层,所述第一电介质层隐埋了所述地址电极;在所述后衬底上以条状形成的并成对排列的多个维持电极,从而所述多个维持电极与所述地址电极交叉成直角;在所述后衬底上形成的第二电介质层,所述第一电介质层隐埋了所述维持电极;在所述第二电介质层的下表面上形成的保护层;和安置在所述前和后衬底之间的多个阻挡条,所述多个阻挡条用于限定所述放电单元,并且具有用荧光层涂覆的侧边,其中每个所述地址电极包括在所述放电单元的正下方放置的厚部分和位于相邻厚部分之间的薄部分,所述厚部分比所述薄部分厚。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星SDI株式会社,未经三星SDI株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200410044628.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top