[发明专利]一种低水峰光纤的制造方法

摘要

本发明涉及一种低水峰光纤的制造方法，特别涉及一种采用改进的化学气相沉积(MCVD)工艺制造低水峰光纤的方法，采用本发明方法所制造出的单模光纤在1310nm波长处的衰减系数小于0.320 dB/km，氢老化试验后测量1383nm波长处的羟基峰衰减系数小于1310nm波长处的衰减系数，其衰减系数小于0.310dB/km。

主权项

1、一种低水峰光纤的制造方法，包括步骤：将高纯氧、含氟气体，在氢氧焰的作用下与石英基管内壁发生反应，进行火焰抛光及腐蚀，降低甚至消除石英基管内壁的羟基含量并形成清洁、平滑的管内表面；将SiCl4、POCl3、高纯氧、氯气与氦气的混合气体按照预定比例和流量通入石英基管，在1500至2000摄氏度温度下发生反应，直接在石英基管内壁上沉积并玻璃化以形成低羟基含量的阻挡层；用高纯氦气对沉积管内进行吹扫，然后通入含氘气体和氦气进行氘氢置换反应，同时氘原子占据阻挡层内石英玻璃中的非桥氧悬键，减少阻挡层内羟基扩散的几率；将SiCl4、POCl3、高纯氧、氯气与氦气的混合气体按照预定比例和流量通入沉积管，在1500至2000摄氏度温度下发生反应，在沉积管的阻挡层内直接形成玻璃化的低羟基含量并具有适当厚度的包层；将含氟气体、SiCl4、GeCl4、POCl3、高纯氧、氯气与氦气的混合气体按照预定比例和流量通入已经形成包层的沉积管，在1200至1500摄氏度温度下发生反应，在包层内沉积一定厚度的疏松结构粉末状石英材料；然后向沉积管内通入氯气和氦气对粉末状石英材料进行脱水处理；经过高纯氦气吹扫后，通入含氘气体，在1100至1200摄氏度温度下进行氘氢置换反应，同时氘原子占据粉末状石英材料中的非桥氧悬键；对疏松结构的粉末状石英材料在1500至2000摄氏度温度下进行玻璃化；将上述沉积疏松粉末状石英材料、脱水、氦气吹扫、氘氢置换、玻璃化步骤反复进行，直至形成极低羟基含量的适当厚度的芯层；在高纯氦气、与含氘气体或氯气混合气体的环境下，及2000至2300摄氏度温度下，将已经形成阻挡层、包层、芯层的沉积管进行熔融处理，形成实心的光纤预制件；采用套管工艺或外部气相沉积(OVD)工艺经过脱水烧结后在光纤预制件外形成保护层，形成光纤预制棒；将光纤预制棒拉丝形成预定尺寸的低水峰光纤。